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J-GLOBAL ID：200903030888490282
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052205
Publication number (International publication number)：1994268151
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 マルチチップモジュール型の半導体装置において占有面積のみならず実装高さも低くした高密度実装の半導体装置を提供する。【構成】 半導体チップ1の裏面の周縁部に凸部1aを形成すると共に半導体チップ1の表面の電極端子を凸部1aの裏面側に導出し、積み重ねて圧着することにより形成する。
Claim (excerpt)：
同じ種類の半導体チップが多数個配列され、共通の電極端子がそれぞれ接続されるマルチチップモジュール型の半導体装置であって、前記半導体チップ裏面の周縁部に凸部が設けられると共に該半導体チップ表面の電極端子が該凸部表面に導出され、前記半導体チップが積み重ねられることにより前記共通の電極端子がそれぞれ接続されてなる半導体装置。
IPC (4)：
H01L 25/00
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
