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J-GLOBAL ID：200903030902934024

光メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 田中 麻人 ,  久保 秀之 ,  小林 俊裕 ,  石原 啓
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131181
Publication number (International publication number)：2001027714
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光メモリ素子を容易且つ安価に提供する。【解決手段】 コア層(2)と、このコア層(2)の両面部に積層されるクラッド層(3,4)とをいずれも樹脂製にして、コア層(2)とクラッド層(3,4)との界面の少なくとも一方(24)に凹凸部を設ける。

Claim (excerpt)：

樹脂製コア層と、該樹脂製コア層の両面部に積層された樹脂製クラッド層とをそなえるとともに、該樹脂製コア層と該樹脂製クラッド層との界面の少なくとも一方に凹凸部が設けられていることを特徴とする、光メモリ素子。

IPC (5)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  G11C 13/04 ,  G11C 17/00 580 ,  G11C 17/00

FI (5)：

G02B 6/12 Z ,  G11C 13/04 Z ,  G11C 17/00 580 E ,  G11C 17/00 580 Z ,  G02B 6/12 M