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J-GLOBAL ID：200903030911794073

半導体装置の保護膜形成方法

Inventor： 三 友 亨 ,  佐 藤 伸 良
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284351
Publication number (International publication number)：1994132284
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】硬度、応力、水素含有量など全てにおいて満足できる信頼性の大きな半導体装置の保護膜形成方法を提供する。【構成】一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(ただし、上記において、R1 、R2 基がH-、CH3 -、C2 H5 -、C3 H7 -、C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表される有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。

Claim (excerpt)：

一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(ただし、上式において、R1 、R2 がH-、CH3 -、C2 H5 -、C3 H7 -、C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表される有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31