Pat

J-GLOBAL ID：200903030955804467

半導体レーザ

Inventor： 山田 篤志 ,  岡本 和也
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 三品 岩男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994166885
Publication number (International publication number)：1996032172
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】しきい値電流の低い量子井戸型半導体レーザを提供する。【構成】半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域31と、少なくとも一方向について井戸領域31を両側から挾むポテンシャルの高い周辺領域33とを有する量子井戸構造を活性領域14に備えた半導体レーザ。井戸領域31と周辺領域33との間には、周辺領域33よりもポテンシャルの高い障壁領域32が配置されている

Claim (excerpt)：

半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域と、少なくとも一方向について前記井戸領域を両側から挾む、前記井戸領域よりもポテンシャルの高い周辺領域とを有する量子井戸構造を活性領域に備えた半導体レーザであって、前記井戸領域と周辺領域との間には、前記周辺領域よりもポテンシャルの高い障壁領域が配置されていることを特徴とする半導体レーザ。