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J-GLOBAL ID：200903030968859740
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323069
Publication number (International publication number)：1995142620
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】サブミクロンデバイスにおける、配線遅延問題を解決するために、多結晶シリコン膜および拡散層の層抵抗を低下させる。【構成】異なる金属種からなる高融点金属/高融点金属シリサイドの2層構造を多結晶シリコン膜および拡散層の全面に形成している。かかる構成は拡散層および多結晶シリコン上に形成されたC49構造TiSi2上に、H2を含まないWF6とSi4を主成分としたガスを用いる化学気相成長法によりタングステン層を全面に形成し、その後、600°C以上で900°C以下の熱工程を行うことで得られる。
Claim (excerpt)：
不純物拡散層またはポリシリコン上に形成された高融点金属シリサイドの上全面に前記高融点金属シリサイドと異なる金属種の金属層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
