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J-GLOBAL ID：200903030972731767

金属酸化物およびペロブスカイトまたはペロブスカイト様結晶構造を有する金属酸化物を合成するための方法

Inventor：
カリアギュイーン、セルジュ

About カリアギュイーン、セルジュ

, 
ヴァン ネステ、アンドレ

About ヴァン ネステ、アンドレ


Applicant, Patent owner：
ユニバルシテ ラバル

About ユニバルシテ ラバル


Agent (1)： 瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000560061
Publication number (International publication number)：2002520248
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：
【要約】成分の化学反応を誘発し、それによってX線回折法により決定される微小結晶構造を有するペロブスカイトまたはペロブスカイト様材料の形態の前記金属酸化物を直接機械合成するために充分な高エネルギーミル粉砕を出発粉末の混合物に施すことを含んでなる工程によって、ペロブスカイトまたはペロブスカイト様結晶構造を有する金属酸化物を製造する。本発明による方法は、非常に高い比表面積を容易に示すことができるペロブスカイトを製造するために簡単であり、効果的であり、費用が嵩まず、また一切の加熱段階を求めない。もう一つの利点は、本発明のよって得られるペロブスカイトは、高密度の格子欠陥も有し、それによってより高い触媒活性ならびに触媒および電子伝導体としての最終用途に非常に望ましい特性を示すことである。
Claim (excerpt)：
ペロブスカイトまたはペロブスカイト様結晶構造、および所定の理論含有率の酸素を有する金属酸化物を機械合成するための方法であって、前記金属酸化物が、一般式ABO<SB>3</SB>のペロブスカイト、一般式[(ABO<SB>3</SB>)<SB>n</SB>+C<SB>y</SB>O<SB>z</SB>]のペロブスカイト様材料、ペロブスカイトから誘導され、且つ一般式(ABO<SB>3-x</SB>)を有する非化学量論的化合物、およびペロブスカイト様材料から誘導され、且つ一般式[(ABO<SB>3-x</SB>)<SB>n</SB>+C<SB>y</SB>O<SB>z</SB>]を有する非化学量論的化合物(式中、● Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、Pb、La、Sr、Ba、Cr、Ag、Ca、Pr、Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、● Bは、Al、Ga、In、Zr、Nb、Sn、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir、Pt、U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Ti、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、● Cは、Al、Ga、In、Zr、Nb、Sn、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir、Pt、U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Ti、Cu、Mg、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、Pb、La、Sr、Ba、Cr、Ag、Ca、Pr、Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を表わし、● nは、1と10の間の整数を表わし、● 0<x<3であり、● yは、1と5の間の整数を表わし、● zは、1と5の間の整数を表わす)からなる群から選択され、前記方法が、式中でA、BおよびCにより表わされる成分を含有するよう配合された出発粉末の混合物に、成分の化学反応を誘発し、それによってX線回折法により決定される微小結晶構造を有するペロブスカイトまたはペロブスカイト様材料の形態の前記金属酸化物を直接機械合成するために充分な高エネルギーミル粉砕を施す段階を含んでなる、方法。
IPC (6)：
C01B 13/14 ,  C01G 1/02 ,  C01G 3/00 ,  C01G 45/00 ,  C01G 49/00 ,  C01G 51/00
FI (6)：
C01B 13/14 Z ,  C01G 1/02 ,  C01G 3/00 ,  C01G 45/00 ,  C01G 49/00 A ,  C01G 51/00 A
F-Term (18)：
4G002AA06 ,  4G002AA08 ,  4G002AA09 ,  4G002AB01 ,  4G002AE05 ,  4G042DA02 ,  4G042DB07 ,  4G042DB24 ,  4G042DC03 ,  4G042DD10 ,  4G042DE03 ,  4G042DE12 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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