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J-GLOBAL ID：200903030974897832
バイアをつくる方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104296
Publication number (International publication number)：1996051154
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 接続層の上にある隣合った導体の間の静電容量を減少する。【構成】 パターンぎめした導体18,44の間の水平方向の隙間が、有機含有誘電体材料(例えばアライド・シグナル500シリーズ)22及び54によって実質的に埋められる。二酸化珪素の様な材料で、有機含有誘電体層22,54の上に夫々無機誘電体層24,56が形成される。有機含有誘電体材料を目立ってエッチングしない高密度プラズマ内のフロロカーボンの様なエッチング過程を用いて、無機誘電体層にバイアをエッチングする。
Claim (excerpt)：
半導体装置上にある層の間の電気接続部に対するバイアをつくる方法に於て、基板の上にパターンぎめした導体の層を形成し、該パターンぎめした少なくとも2つの導体の間の空間の少なくとも50%に亘る有機含有誘電体層を形成し、該有機含有層は、前記導体の間の隙間で測定して、前記パターンぎめした導体の厚さの50%乃至150%の厚さを持っており、前記有機含有層は3.5未満の誘電率を持ち、前記有機含有誘電体層並びに前記導体の内の露出している部分があれば該部分を覆う無機誘電体層をデポジットし、前記有機含有層に対して選択性を持つエッチを用いて前記無機誘電体の中にバイアをエッチングする工程を含み、この時前記有機含有誘電体層がエッチ・ストッパとして作用すると共に、マスクの整合外れ又は装置の不均一な形状による過剰エッチングを防止し、且つ二酸化シリコン誘電体に比べて、隣接した対の導体の間の静電容量が減少するようにした方法。
FI (2)：
H01L 21/90 V
, H01L 21/90 S
Cited by examiner (8)
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