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J-GLOBAL ID：200903030987677815

ドライエッチング方法

Inventor： 民谷 直幹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999329139
Publication number (International publication number)：2001148369
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 エッチングパターンのレイアウトによらず、エッチング側壁の垂直形状を確保することが可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 レジストパターンのエッチングで生じた有機系の反応生成物をエッチング側壁に堆積させて側壁保護膜としながら、被エッチング材料層をドライエッチングする方法であって、先ず、予め、被エッチング材料層となる配線材料層のエッチング側壁が所望の垂直形状となるドライエッチングでのエッチング雰囲気中の炭素プラズマの発光強度を基準値Sとして得ておく。その後、エッチング雰囲気中の炭素プラズマの発光強度21が基準値Sとなるように炭素を含有するガスをプロセスガスに添加しながら、レジストパターンをマスクに用いて配線材料層のドライエッングを行う。

Claim (excerpt)：

レジストパターンのドライエッチングで生じる有機系の反応生成物を当該レジストパターン下の被エッチング材料層のエッチング側壁に側壁保護膜として堆積させながら、当該被エッチング材料層のドライエッチングを行なう方法であって、前記被エッチング材料層のエッチング側壁が所望の垂直形状となるドライエッチングでのエッチング雰囲気中における炭素プラズマの発光強度を基準値として得る工程と、エッチング雰囲気中における炭素プラズマの発光強度が前記基準値となるように炭素を含有するガスをプロセスガスに添加しながら、前記レジストパターンをマスクに用いて前記被エッチング材料層のドライエッングを行う工程とを具備することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N

F-Term (29)：

5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA30 ,  5F004DB08 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31