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J-GLOBAL ID：200903030988808395

半導体放射線検出素子

Inventor： 佐藤 則忠 ,  上野 正和
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054257
Publication number (International publication number)：1995263739
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】ピンホールもれ電流をなくしてエネルギー分解能と感度に優れるヘテロ接合型半導体放射線検出素子を得る。【構成】シリコン半導体基板1の一主面に水素化非晶質シリコン薄膜2、水素化非晶質カーボン薄膜13、電極4を順次積層し、他の主面には電極5を積層する。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板と、この半導体基板の一主面上に形成された第一の高比抵抗薄膜と、前記第一の高比抵抗薄膜上に形成された第二の高比抵抗薄膜と、前記第二の高比抵抗薄膜と前記半導体基板の他の主面上にそれぞれ設けられ、半導体基板と第一の高比抵抗薄膜との接合面に逆バイアス電圧を印加する一対の電極を備えることを特徴とする半導体放射線検出素子。