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J-GLOBAL ID：200903031007672240
低反射率膜を設けた多波長の半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083503
Publication number (International publication number)：1993283810
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 夫々が波長の異なるレーザ光線を出射する各発光領域から効率的にレーザ光線を出射させることができる低反射率膜を設けた多波長の半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 端面に2つのレーザ光線発光領域18、19を有しこれら発光領域18、19から夫々異なる波長のレーザ光線を出射する共振器1と、共振器1の端面におけるレーザ光線の夫々の反射率が小さくなるように各発光領域18、19の表面に形成されている低反射率膜6、7と、を具備する低反射率膜を設けた多波長の半導体レーザにおいて、低反射率膜6、7の膜厚が、その各膜6、7が形成されている発光領域18、19の表面から出射するレーザ光線の波長がλ1 、λ2 、低反射率膜6、7の屈折率がnであるとき、λ1 /(4n)、λ2 /(4n)に形成されている。
Claim (excerpt)：
端面に複数のレーザ光線発光領域を有しこれら発光領域のうち少なくとも2以上の発光領域から夫々異なる波長のレーザ光線を出射する共振器と、上記共振器の端面におけるレーザ光線の夫々の反射率が小さくなるように上記2以上の各発光領域の表面に形成されている低反射率膜と、を具備する低反射率膜を設けた多波長の半導体レーザにおいて、上記低反射率膜の各発光領域の表面部分の膜厚が、その膜が形成されている上記発光領域の表面から出射するレーザ光線の波長がλ、上記低反射率膜の屈折率がnであるとき、λ/(4n)又はそれに近い値に形成されていることを特徴とする低反射率膜を設けた多波長の半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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