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J-GLOBAL ID：200903031012814214
半導体基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323592
Publication number (International publication number)：1995183477
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】超薄膜層を有するSOI基板を、容易かつ再現性良く、しかも精度よく、形成することを目的とする。【構成】絶縁膜3を介して、主表面を形成するシリコン基板1と支持基板2とを接合し、主表面を数μmまで研磨した後、酸化膜、除去して超薄膜層5を有するSOI基板を形成する。
Claim (excerpt)：
第1のシリコン基板と第2のシリコン基板とを絶縁膜を介して接合する工程と、前記第1のシリコン基板の一主表面を研磨する工程と、前記形成した複合基板を酸化し、酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (5)：
H01L 27/12
, H01L 21/304 321
, H01L 21/306
, H01L 21/316
, H01L 21/762
H01L 21/306 D
, H01L 21/76 D
