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J-GLOBAL ID：200903031015401514

有機薄膜の製造方法

Inventor： 大野 公隆 ,  ラリー エイ.ナガハラ ,  徳本 洋志
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  シャープ株式会社 ,  モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 林 宏 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255603
Publication number (International publication number)：1998084147
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 III-V族化合物半導体基板を膜形成用分子またはそれを含む溶液中で劈開することで選択的に化学吸着させ単分子膜を形成後、異なる有機分子膜を累積することで良質でかつ強固な、3次元的に規則的に配列した有機単分子膜を作製する。【解決手段】 溶媒に溶かされたSH基を含む溶液中で III-V族化合物半導体基板を劈開してセルフアセンブル膜を形成した後、さらにその基板を別の溶液に投入し、膜表面に金属イオンを吸着したり、化学処理により官能基を変成した後、その官能基に選択的に化学吸着する有機分子を含む溶液に浸漬する。これらの工程を順次繰り返すことにより、分子層厚の精度で膜厚制御しながら良質でかつ強固な、3次元的に規則的に配列した多層膜の形成を実現させる。

Claim (excerpt)：

劈開した III-V族化合物半導体基板を、末端基にSH基誘導体をもつ両親媒性有機分子を含む溶液または融液に浸漬して、劈開面上に有機分子を化学吸着させることにより、第1の有機単分子膜を形成し、これを金属イオンを含む溶液中に浸漬した後、一端にSH基を有し他端にCOOH基を有する両親媒性分子を含む溶液に浸漬し、上記第1の有機単分子膜上にさらに有機単分子膜を累積することを特徴とする有機薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 51/00 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L 29/28 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/20