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J-GLOBAL ID：200903031058320720

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 池田 光佑 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994265082
Publication number (International publication number)：1996125207
Application date： Oct. 28, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体1の光吸収層/半導体2の中間層/半導体3の窓層の少なくとも三層構成とすることにより、変換効率を向上した太陽電池を提供する。【構成】 電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板1の上に順次、光吸収層2、中間層3、窓層4、透明導電層5が配置されている。金属基板上に、電子親和力がχ<SB>1 </SB>で仕事関数がΦ<SB>1 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g1</SB>であるp型の半導体の光吸収層、電子親和力がχ<SB>2 </SB>で仕事関数がΦ<SB>2 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g2</SB>である半導体の中間層、その上に電子親和力がχ<SB>3 </SB>で仕事関数がΦ<SB>3 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g3</SB>であるn型の半導体の窓層、透明導電層を順次積層し、しかもχ<SB>1 </SB>〜χ<SB>2 </SB>〜χ<SB>3 </SB>、Φ<SB>1 </SB>>Φ<SB>2 </SB>>Φ<SB>3 </SB>でかつE<SB>g1</SB><E<SB>g2</SB><E<SB>g3</SB>とする。

Claim (excerpt)：

電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、p型の半導体1の光吸収層と、半導体2の中間層と、n型の半導体3の窓層と、透明導電層とを順次積層した太陽電池であって、前記p型の半導体1の光吸収層の電子親和力をχ<SB>1 </SB>、仕事関数をΦ<SB>1 </SB>、バンドギャップエネルギーをE<SB>g1</SB>とし、前記半導体2の中間層の電子親和力をχ<SB>2 </SB>、仕事関数をΦ<SB>2 </SB>、かつバンドギャップエネルギーをE<SB>g2</SB>とし、前記n型の半導体3の窓層の電子親和力をχ<SB>3 </SB>、仕事関数をΦ<SB>3 </SB>、バンドギャップエネルギーをEg<SB>3</SB>としたとき、χ<SB>1 </SB>とχ<SB>2 </SB>とχ<SB>3 </SB>とはほぼ等しく、Φ<SB>1 </SB>>Φ<SB>2 </SB>>Φ<SB>3 </SB>かつE<SB>g1</SB><E<SB>g2</SB><E<SB>g3</SB>なる関係を満たすことを特徴とする太陽電池。