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J-GLOBAL ID：200903031068504323

ダイヤモンド電子素子

Inventor： 林 和志 ,  横田 嘉宏 ,  宮田 浩一 ,  井上 憲一
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084735
Publication number (International publication number)：2000277798
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電子の注入効率を高めることにより、発光強度を著しく増加させることができるダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】 第1のダイヤモンド層1と発光する第2のダイヤモンド層2とが接合されている。また、第2のダイヤモンド層2と第1のダイヤモンド層1を挟むように第1の電極3が設けられている。同様に、第1のダイヤモンド層1と第2のダイヤモンド層2を挟むように第2の電極4が設けられている。そして、第1のダイヤモンド層1の第1の電極3と接する表面近傍は水素化され、水素化領域1aが形成されている。なお、第1のダイヤモンド層1は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第2のダイヤモンド層2には、例えばボロン(B)がドーピングされ、第2のダイヤモンド層2はp型半導体となっている。このため、第1のダイヤモンド層1の抵抗は発光する第2のダイヤモンド層2のそれよりも高い。

Claim (excerpt)：

第1のダイヤモンド層と、この第1のダイヤモンド層に接合され発光する第2のダイヤモンド層と、前記第1及び第2のダイヤモンド層に夫々接する第1及び第2の電極と、を有し、前記第1のダイヤモンド層の抵抗は前記第2のダイヤモンド層の抵抗よりも高く、前記第1のダイヤモンド層の前記第1の電極と接する表面の少なくとも一部の領域は水素化されていることを特徴とするダイヤモンド電子素子。

F-Term (15)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA12 ,  5F041CA06 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14