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J-GLOBAL ID：200903031073415746

n型ダイヤモンド半導体

Inventor： 我妻 洸 ,  川口 勝久
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349050
Publication number (International publication number)：1998194889
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 28, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】ダイヤモンド半導体中に、Se,S,Br,Iなどの炭素原子より電気陰性度が大きく、且つイオン化ポテンシャルが炭素原子同士の単結合のそれ(13.831eV)以下で、5価以上の原子をドナー原子として添加したn型ダイヤモンド半導体。【効果】本願発明者らの得た理論的な考察に基づいて従来では考えられなかった原子をドナーとして良好なn型ダイヤモンド半導体を得ることができた。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド半導体中に、電気陰性度がC原子より大きく、且つイオン化ポテンシャルがC原子同士の単結合のそれ以下で、5価以上の原子をドナー原子として添加したことを特徴とするn型ダイヤモンド半導体。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 31/06 ,  H01L 29/12

FI (3)：

C30B 29/04 S ,  C30B 31/06 ,  H01L 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-302516
  
• 特開昭63-302517