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J-GLOBAL ID：200903031079286336

電子デバイス用基板およびその製造方法

Inventor： 石井 哲好 ,  山口 徹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136262
Publication number (International publication number)：2008294110
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

【課題】単純な工程で製造でき、グラファイト膜と基板との接着力を向上させた電子デバイス用基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】シリコン基板1の表面にシラノール基を形成するシラノール基形成工程と、グラファイト膜14の表面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、シラノール基が形成されたシリコン基板1に水酸基が形成されたグラファイト膜14を加圧しながら熱処理しシリコンカーバイト結合を生じさせてシリコン基板1とグラファイト膜14と接合する接合工程とを有するようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面にシラノール基を形成するシラノール基形成工程と、 グラファイト膜の表面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、 シラノール基が形成されたシリコン基板に水酸基が形成されたグラファイト膜を加圧しながら熱処理しシリコンカーバイト結合を生じさせて当該シリコン基板と当該グラファイト膜とを接合する接合工程とを有する ことを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L21/02 B ,  H01L27/12 B