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J-GLOBAL ID：200903031081289474

層間絶縁膜及びその製造方法

Inventor：
青井 信雄

About 青井 信雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004176440
Publication number (International publication number)：2004304202
Application date： Jun. 15, 2004
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：
【課題】 層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。【解決手段】 同一分子内に3つ以上の官能基群を持つことにより3次元構造を有している第1の架橋分子と、同一分子内に2つの官能基群を持つことにより2次元構造を有している第2の架橋分子とを重合させて3次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。3次元重合高分子の内部には、第1の架橋分子と第2の架橋分子とが重合することにより形成された分子レベルの多数の空孔が分散している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
3次元構造を有する第1の架橋分子と2次元構造を有する第2の架橋分子とが重合することにより形成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する3次元重合高分子からなる層間絶縁膜であって、 前記第1の架橋分子は3つの官能基群を有し、前記第2の架橋分子は2つの官能基群を有し、 前記第1の架橋分子の3つの官能基群と前記第2の架橋分子の2つの官能基群とが結合することにより、マクロマーからなるユニットを形成していると共に、前記ユニットの内部には分子サイズの空孔が形成されていることを特徴とする層間絶縁膜。
IPC (3)：
H01L21/312 ,  C08G73/10 ,  H01L21/768
FI (3)：
H01L21/312 A ,  C08G73/10 ,  H01L21/90 S
F-Term (76)：
4J043PA20 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB34 ,  4J043QB36 ,  4J043QB39 ,  4J043RA35 ,  4J043RA42 ,  4J043RA52 ,  4J043SA06 ,  4J043SA07 ,  4J043SA08 ,  4J043SA71 ,  4J043SB01 ,  4J043TA02 ,  4J043TA14 ,  4J043TB01 ,  4J043UA081 ,  4J043UA082 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA151 ,  4J043UA152 ,  4J043UA252 ,  4J043XA16 ,  4J043XB27 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA32 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB60 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR29 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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