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J-GLOBAL ID：200903031084020760

電界効果電子ソースおよびその製造法

Inventor：
ジョエル ダンローク

About ジョエル ダンローク


Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

About コミツサリア タ レネルジー アトミーク


Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995306382
Publication number (International publication number)：1996227655
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：
【要約】【課題】 電界効果電子ソースの製造法と該製造法により得られた電子ソースを開示しており、応用分野は陰極線ルミネセンスによる表示装置の分野である。【解決手段】 絶縁基板(2)の上に、前記電子ソースは少なくとも1つの陰極導体(4)と、該導体を覆っている絶縁層(6)と、絶縁性の層の上に形成された少なくとも1つのグリッド(8)を備え、ホール(10)が前記グリッドと絶縁性の層を通して形成されており、マイクロチップ(12)が電子放出の金属材料により前記ホールの中に作られ、電気泳動により、または金属および炭素ダイヤモンドまたはダイヤモンド様の炭素の結合電気化学堆積により形成された炭素ダイヤモンドまたはダイヤモンド様の炭素粒子の堆積部により覆われている。
Claim (excerpt)：
構造が電気絶縁基板(2)と、前記基板の上の少なくとも1つの陰極導体(4)と、各陰極導体を覆っている絶縁層(6)と、電気絶縁層を覆っている導電グリッド層(25)を備えて製造され、ホール(10)がグリッド層と各陰極導体にある電気絶縁層を通して形成されており、マイクロチップ(12)のそれぞれが炭素ダイヤモンドまたはダイヤモンド様の炭素粒子の主要堆積部(13)により覆われ、該主要堆積部(13)が電気泳動により、または金属および炭素ダイヤモンドまたはダイヤモンド様の炭素の結合電気化学堆積により形成されていることを特長とする、電界効果電子ソースの製造法。
IPC (2)：
H01J 9/02 ,  H01J 1/30
FI (2)：
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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