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J-GLOBAL ID：200903031085082327

イオン注入装置のウェハ支持台

Inventor： 三浦 龍一 ,  都丸 一彦 ,  米山 勉 ,  半田 隆一
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  信越化学工業株式会社
Agent (1)： 滝田 清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998362302
Publication number (International publication number)：2000188080
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】静電吸着によってウェハと弾性体表面が強固に密着するということがない上ウェハに付着するパーティクルの数を低減することができると共に、ウェハの冷却効率にも優れたイオン注入装置のウェハ支持台を提供する。【解決手段】イオン注入装置の真空室内に配置されたウェハを支持するための支持台。この支持台は、支持台本体と、該支持台本体にとりつけられる、その表面にウェハを装着する導電性弾性体とからなっている。

Claim (excerpt)：

イオン注入装置の真空室内に配置されたウェハを支持するためのウェハ支持台であって、該ウェハ支持台が、支持台本体、及び、該支持台本体にとりつけられる、表面に前記ウェハを装着するための導電性弾性体とから成ることを特徴とする、イオン注入装置のウェハ支持台。

IPC (3)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01J 37/317 B ,  C23C 14/48 C ,  H01L 21/265 603 D

F-Term (6)：

4K029BD01 ,  4K029DA00 ,  4K029DE00 ,  4K029JA01 ,  5C034CC11 ,  5C034CC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウェハをイオンインプランテーションする装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-011946   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレーテッド
• イオン注入機用プラテン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-354118   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開平2-102263