Pat

J-GLOBAL ID：200903031088842870

固体撮像装置とその駆動方法

Inventor： 樋山 拓己 ,  櫻井 克仁 ,  上野 勇武 ,  小泉 徹 ,  光地 哲伸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998115613
Publication number (International publication number)：1999308531
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像装置の画素アンプの最大取扱い電荷量Qsatを増加し、S/Nを高め、画質に優れた高品質の読み取り画像信号を得ることを課題とする。【解決手段】 画素部に光電変換素子と、前記光電変換素子で発生する光電変換信号をゲート電極に入力する電界効果トランジスタと、前記光電変換素子と前記電界効果トランジスタのゲート電極との導通を制御する転送スイッチを有する固体撮像装置において、前記光電変換素子から前記電界効果トランジスタのゲート電極への光電変換信号の読み出しを、前記電界効果トランジスタのゲート下に反転層が形成されている状態で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

画素部に光電変換素子と、前記光電変換素子で発生する光電変換信号をゲート電極に入力する電界効果トランジスタと、前記光電変換素子と前記電界効果トランジスタのゲート電極との導通を制御する転送スイッチを有する固体撮像装置において、前記光電変換素子から前記電界効果トランジスタのゲート電極への光電変換信号の読み出し状態は、前記電界効果トランジスタのゲート下に反転層が形成されている状態とする制御を行う反転層形成手段を有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (3)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 P ,  H01L 27/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-197469   Applicant：キヤノン株式会社
• 光電変換素子および固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-129164   Applicant：株式会社ニコン
• 固体撮像装置及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-245308   Applicant：株式会社東芝