半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998237235
Publication number (International publication number)：2000068303
Application date： Aug. 24, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】リードフレームとして銅を主成分とする合金を用いる場合に、リードフレームの表面にCuO層が形成されるのを防止して、半導体装置の耐湿性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】Cuを主成分とする合金からなるリードフレーム用基材10をパターン加工してリード1aとダイパッド1bを有するリードフレーム1を形成する。次に、リードフレームの封止樹脂との密着面の少なくとも一部を粗面化し、この粗面化された面上にCuO生成防止膜を形成する。次に、ダイパッド上に半導体チップ3を固着し、リードと半導体チップとをワイヤボンディング4し、リードフレームの粗面化されてCuO生成防止膜が形成された面2と密着させながら、半導体チップとワイヤボンディング部分を封止する封止樹脂5を形成する。

Claim (excerpt)：

リードフレームのダイパッド上に半導体チップが固着され、封止樹脂で封止された半導体装置の製造方法であって、Cuを主成分とする合金からなるリードフレーム用基材をパターン加工してリードとダイパッドを有するリードフレームを形成する工程と、前記リードフレームの前記封止樹脂との密着面の少なくとも一部を粗面化する工程と、前記粗面化された面上にCuO生成防止膜を形成する工程と、前記ダイパッド上に半導体チップを固着する工程と、前記リードと前記半導体チップとをワイヤボンディングする工程と、前記リードフレームの粗面化されてCuO生成防止膜が形成された面と密着させながら、前記半導体チップと前記ワイヤボンディング部分を封止する封止樹脂を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/50

FI (4)：

H01L 21/56 H , H01L 21/56 T , H01L 23/28 A , H01L 23/50 G

F-Term (19)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109FA10 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DD11 , 5F061DD13 , 5F061DD14 , 5F067AA04 , 5F067BB00 , 5F067BB10 , 5F067BC00 , 5F067BE00 , 5F067DC13 , 5F067DC17 , 5F067DE01 , 5F067EA04

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