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J-GLOBAL ID：200903031107789047

半導体レーザの製造方法

Inventor： 松川 健一 ,  茨木 晃 ,  林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092986
Publication number (International publication number)：1994310800
Application date： Apr. 20, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電極形成に際しての煩雑なエッチング工程を省略することができ、異なる厚みのコンタクト層を有する半導体レーザの製造に容易に対応し得る、半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 ある結晶方位からずれた方向に配向された第1の導電型のオフ基板上に、第1の導電型のクラッド層、活性層及び第2の導電型のクラッド層4を成長させ、上方にある第2の導電型のクラッド層4にエッチングによりメサ状リッジAを形成し、該メサ状リッジAの上方に第2の導電型のコンタクト層10を形成してなるウェハ15を用意し、ウェハ15の上面に形成されているストライプ状部分15aにおけるコンタクト層10の厚みをxとしたときに、ストライプ上部分15aから下記の式(1)で決定される距離yだけ離れた部分に発振領域を表示する位置決めマークを有するように電極を形成する工程を有する半導体レーザの製造方法。【数1】

Claim (excerpt)：

ある結晶方位からずれた方向に配向された第1の導電型の基板上に、直接又は間接に、少なくとも第1の導電型のクラッド層、活性層、第2の導電型のクラッド層及びコンタクト層を積層してなり、かつ前記第2の導電型のクラッド層にメサ状リッジが形成されているウェハを用意し、前記ウェハの上面及び下面に電極を形成する工程を備える半導体レーザの製造方法において、ウェハ上面に形成されているストライプ状部分を基準として、該ストライプ状部分における前記コンタクト層の厚みをxとしたときに、前記ストライプ状部分から、【数1】で決定される距離yだけ離れた位置に発振領域の中心位置があることを表示する電極を形成することにより前記ウェハの上面の電極を形成することを特徴とする、半導体レーザの製造方法。