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J-GLOBAL ID：200903031126746251
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000533
Publication number (International publication number)：1994169082
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】多結晶シリコンゲート型の電界効果トランジスタのゲート構造による動作特性の劣化や歩留りの低下を防ぐ事を目的とする。【構成】多結晶シリコンゲート構造115は、少なくとも3つの多結晶シリコン層115-1,115-3,115-5とその間に設けられた薄い酸化膜115-2,115-4の多層構造を有し、ころによってゲート側面が基板表面に対して実質的に垂直になるように形成されるとともに、ゲート上表面の平坦性が保たれる。また、このゲート構造は抵抗としても使用できる。
Claim (excerpt)：
第1の物質からなる第1の層と、前記第1の物質からなる第1の層上に配置された第2の物質からなる第1の層と、前記第2の物質からなる第1の層上に配置された第1の物質からなる第2の層と、前記第1の物質からなる第2の層上に配置された第2の物質からなる第2の層と、前記第2の物質からなる第2の層上に配置された第1の物質からなる第3の層とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/88 P
, H01L 29/78 301 P
