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J-GLOBAL ID：200903031127507234

薄膜材料

Inventor： 飯島 賢二 ,  長尾 宣明 ,  竹内 孝之 ,  河村 達朗
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993247774
Publication number (International publication number)：1995106658
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 イオンの微小変位を化学的にではなく、従来に無い新規な方法によって物理的に行うことにより、焦電型赤外線センサ、圧電アクチュエータ、メモリ素子などの薄膜強誘電体を用いた素子に有用な薄膜材料を提供する。【構成】 Pt/Si基板1の上に白金電極2を形成し、この白金電極2の上に、反強誘電体であるPbZrO3 薄膜3と強誘電体であるPbTiO3 薄膜4とを交互に積層して多層膜化する。ここで、多層膜化の繰り返し回数は10回である。次いで、最上層のPbTiO3 薄膜4の上に上部電極5を形成する。

Claim (excerpt)：

異なる物性を有する2種類の薄膜を交互に積層してなる薄膜材料であって、前記2種類の薄膜のうち一方が強誘電体であり、他方が反強誘電体であることを特徴とする薄膜材料。

IPC (3)：

H01L 41/083 ,  G01J 1/02 ,  G02F 1/05