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J-GLOBAL ID：200903031127705796

磁気抵抗デバイス

Inventor： 山本 哲也
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120249
Publication number (International publication number)：1997307156
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 GMR(巨大磁気抵抗)効果を有する動作領域を持つトランジスタを備えた磁気抵抗デバイスにおいて、動作領域の磁気抵抗の変化率を向上する。前記磁気抵抗デバイスを利用する磁場センサにおいて、感度を向上する。【解決手段】 磁気抵抗デバイスにおいて、GMR効果を有する第1動作領域12と、第1動作領域12の磁性を示す電子のスピン方向の一方の方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択的に第1動作領域12に注入する第2動作領域13と、を備える。第2動作領域13はスピン偏極電子を注入する非磁性金属体領域13b及び特定方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択し注入するポテンシャルバリア領域13aで形成される。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗を有する第1動作領域と、前記第1動作領域の磁性を示す電子のスピン方向の一方の方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択的に前記第1動作領域に注入する第2動作領域と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗デバイス。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10