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J-GLOBAL ID：200903031145791985
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996253081
Publication number (International publication number)：1998097994
Application date： Sep. 25, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、低温緩衝層上に堆積される積層体構成層の表面に見られるピットの発生、および、表面の段差を抑制、或いは低減する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、結晶基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる成長島から構成される薄膜緩衝層を備え、該成長島が、隣接する成長島間の距離を45nm以下とする。また、上記の化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、薄膜緩衝層を構成する各々の成長島の高低差(Δh)を40nm以下とする。
Claim (excerpt)：
結晶基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる成長島から構成される薄膜緩衝層を備え、該成長島が、隣接する成長島間の距離を45nm以下とすることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
