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J-GLOBAL ID：200903031149054411

フォトレジスト組成物

Inventor： 中野 浩二 ,  楠本 匡 ,  藤戸 健史 ,  田中 克知
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999032512
Publication number (International publication number)：2000231200
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体製造に使用されるフォトレジストであって、塗布均一性に優れ、現像後のパターン欠陥が少なく、且つ焦点深度の広い組成物を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ可溶性樹脂、感放射線性物質及び溶媒を含有するフォトレジスト塗布組成物であって、常圧にて製造され、容器内に密閉保持されている該組成物を、200mmHgの減圧下に曝した後の粒径0.3μm以上の液中パーティクルカウントの増分が500個/ml以下である半導体製造用フォトレジスト塗布組成物。

Claim (excerpt)：

少なくともアルカリ可溶性樹脂、感放射線性物質及び溶媒を含有するフォトレジスト組成物であって、常圧にて容器内に密閉保持されている該組成物を、200mmHgの減圧下に保持した後の粒径0.3μm以上の液中パーティクルカウントの増分が500個/ml以下である半導体製造用フォトレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (18)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025BE01 ,  2H025BJ00 ,  2H025BJ03 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096LA17 ,  2H096LA30