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J-GLOBAL ID：200903031153672847

半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法

Inventor： 早藤 紀生 ,  川津 善平
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105763
Publication number (International publication number)：1996307001
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 紫外から緑にわたる短波長光を放出する高性能な半導体レーザダイオードを得ること、およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 サファイア基板1にn型GaNコンタクト層5を形成し、このn型GaNコンタクト層5上にn型AlGaNクラッド層7、アンドープGaN活性層8、p型AlGaNクラッド層9、p型GaNコンタクト層10、p型半導体反射鏡11を積層したエピタキシャル層を形成する。ここでサファイア基板1の裏面とn型コンタクト層5の面をほぼ同一平面で連続して構成され、この同一平面上にn型コンタクト層5と接続する電極17を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板、この基板の主面側に露出面を有するように上記基板に埋設された第1導電型半導体からなる第1のコンタクト層、第1導電型半導体からなる第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型半導体からなる第2のクラッド層と、第2導電型半導体からなる第2のコンタクト層との順に積層して構成され、上記第1のクラッド層が上記第1のコンタクト層と接合されるように形成された半導体層、上記第1のクラッド層が上記基板の主面側に露出されるように、上記第1のコンタクト層の露出面に設けられた孔、この孔内において第1のクラッド層の表面上に形成された第1の反射鏡、この第1の反射鏡と対向するように、上記半導体層における第2のコンタクト層上に形成された第2の反射鏡、上記第1のコンタクト層の露出面と接続するように上記基板の主面上に形成された電極を備えたことを特徴とする半導体レーザダイオード。