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J-GLOBAL ID：200903031161006589

半導体表面層特性の測定評価方法

Inventor： 荻田 陽一郎 ,  佐々木 謙孝
Applicant, Patent owner： 荻田 陽一郎
Agent (1)： 安形 雄三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999059549
Publication number (International publication number)：2000260841
Application date： Mar. 08, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Siウェーハ等の半導体表面層の断層特性を高分解能で非接触、非破壊で測定して評価できる方法を提供する。【解決手段】 半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。

Claim (excerpt)：

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価するようにしたことを特徴とする半導体表面層特性の測定評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 27/00

FI (3)：

H01L 21/66 M ,  G01N 21/00 B ,  G01N 27/00 Z

F-Term (17)：

2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF04 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA02 ,  4M106CA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB11 ,  4M106CB19 ,  4M106DH01 ,  4M106DH33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開昭61-114543
  
• 特開平1-181434
  
• シリコン基板に埋め込まれた酸化膜の欠陥検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-129739   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平2-214132
  
• 特開昭57-054338
  
• 誘起接合電流測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253864   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭61-271850
  
• 特開昭57-027043
  
• 半導体の自由担体寿命等測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-329158   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-247543