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J-GLOBAL ID：200903031165232273

ダイナミック型RAMとそのプレート電圧設定方法及び情報処理システム

Inventor： 中村 正行 ,  松本 哲郎 ,  大嶋 一義
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993055111
Publication number (International publication number)：1994243678
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高集積化及び大記憶容量化を図ったダイナミック型RAMとそのプレート電圧設定方法及び小型化と高機能化を図った情報処理システムを提供する。【構成】 ビット線側電位がプレート電圧に対して正電圧のときと負電圧のときとの情報記憶キャパシタのリーク電流がほぼ等しくなるようにプレート電圧を設定する。このプレート電圧の設定において、プレート電圧発生回路に出力電圧調整機能を設け、同じ半導体ウェハ上に情報記憶キャパシタと同じ製造方法及び材料により形成されたモニターキャパシタをウェハプロービング工程において測定し、その結果に従ってプレート電圧の出力調整機能により最適値にする。上記のようなプレート電圧に持つてダイナミック型RAMをメモリ装置として情報処理システムを構成する。【効果】 実質的なリーク電流が減らせることにより情報記憶キャパシタの小型化又は単位面積当たりの実質的な容量値を大きくできるから、高集積化、大容量化が可能にある。また、メモリ装置の小型大容量化によりシステムの小型高機能化が実現できる。

Claim (excerpt)：

ビット線側電位がプレート電圧に対して正電圧のときと負電圧のときとの情報記憶キャパシタのリーク電流がほぼ等しくなるように、上記プレート電圧が設定されてなることを特徴とするダイナミック型RAM。