Pat

J-GLOBAL ID：200903031174252783

半導体集積回路装置のデータ処理方法および半導体集積回路装置

Inventor： 小笠原 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995242774
Publication number (International publication number)：1997092793
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 DRAMのメモリセルの情報保持時間を長くする。【解決手段】 半導体チップ1に形成されたDRAMのメモリセルにおける情報読み出しに際して、データ線DLに印加するプリチャージ電圧を0<プリチャージ電圧<電源電圧(VDD)/2とする。

Claim (excerpt)：

DRAMを備える半導体集積回路装置のデータ処理に際して、データ線に印加するプリチャージ電圧を電源電圧以外で、かつ、電源電圧の半分以外の電圧値に設定することを特徴とする半導体集積回路装置のデータ処理方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/409

FI (3)：

H01L 27/10 681 C ,  G11C 11/34 353 F ,  H01L 27/10 681 B