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J-GLOBAL ID：200903031194685910

半導体レーザ励起固体レーザ装置

Inventor： 天野 壮
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190116
Publication number (International publication number)：1993037052
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 励起効率を低下させることなく強力なレーザ発振が可能な半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明にかかる半導体レーザ励起固体レーザ装置は、レーザ媒体5内に入射した励起用レーザ光L0 のうち、レーザ媒体5の光軸方向と異なる方向に進行し、レーザ媒体5の側面から外部に射出しようとする励起用レーザ光L0 を反射してレーザ媒体内に戻す反射手段8をレーザ媒体5の側面部に設けたことを特徴としたもので、これにより、比較的単純な構成で、多数の半導体レーザ装置1から光ファイバ2を通じてレーザ媒体5に強力な励起用レーザ光L0 を導入した場合にも励起効率を落とすことなく高い出力のレーザ発振を行うことを可能にしたものである。

Claim (excerpt)：

励起用のレーザ光を発生する複数の半導体レーザ装置と、これら各半導体レーザ装置から射出された励起用のレーザ光を導く複数の光ファイバと、これら光ファイバによって導かれた励起用レーザ光を光軸と交わる一方の端面から入射してレーザ発振を行うレーザ媒体と、このレーザ媒体と光軸を共通にして設けられたレーザ共振器とを有し、前記レーザ媒体内に入射した励起用レーザ光のうち、前記レーザ媒体の光軸方向と異なる方向に進行し、該レーザ媒体の側面から外部に射出しようとする励起用レーザ光を反射して該レーザ媒体内に戻す反射手段を該レーザ媒体の側面部に設けたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/094 ,  H01S 3/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-024989
  
• 特開平2-005584
  
• 特開昭50-040093