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J-GLOBAL ID：200903031201578955
低速陽電子ビーム発生装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066539
Publication number (International publication number)：1994281792
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】 加速器のオンライン利用を容易にし、高強度の低速陽電子ビームを継続的に得られる低速陽電子ビーム発生装置を提供する。【構成】 ターゲット材11は、加速器からの加速粒子10がターゲット材11の入射面11aに斜めに入射されるべく、加速粒子10の通路に対して傾いて配置され、加速粒子10の照射によって、ターゲット材11中に核反応によるβ+崩壊性同位元素を発生し、該β+ 崩壊性同位元素からその周囲に高速陽電子を放出させる。減速材12は、加速粒子10の通路から外れた位置に入射面11aに対向して配置され、ターゲット材11中から入射面11aを介して放出される高速陽電子を受けて、低速陽電子を放出し、引き出し電極13は、低速陽電子を低速陽電子ビーム14として取り出す。ターゲット材の入射面とは反対側の面から放出される高速陽電子より、別の低速陽電子ビームを取り出してもよい。
Claim (excerpt)：
加速器にて発生された加速粒子を照射される入射面を有するターゲット材と、減速材と、引き出し電極とを備え、前記ターゲット材は、前記入射面に前記加速粒子を照射されると、前記ターゲット材中に核反応によるβ+崩壊性同位元素を発生し、該β+ 崩壊性同位元素からその周囲に高速陽電子を放出させるものであり、前記減速材は、前記入射面に対向して配置され、前記ターゲット材中から該入射面を介して放出される前記高速陽電子を受け、前記高速陽電子を減速し、低速陽電子を放出するものであり、前記引き出し電極は、前記低速陽電子を低速陽電子ビームとして取り出すものである低速陽電子ビーム発生装置において、前記ターゲット材は、前記加速粒子が前記ターゲット材の前記入射面に斜めに入射されるように前記加速粒子の通路に対して傾いて配置され、前記減速材は、前記加速粒子の通路から外れた位置に配置されていることを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (3)：
G21G 1/10
, G21K 1/00
, H05H 7/10
