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J-GLOBAL ID：200903031204622939

微小パターン形成方法

Inventor： 反町 東夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250269
Publication number (International publication number)：1994104242
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチングによる微小パターンの形成方法に関し,マスクパターン下のアンダーカットを抑制することを目的とする。【構成】 パターニングすべき薄膜上に所定のマスクパターンを形成したのち,この薄膜を厚さ方向に一部エッチングし,このエッチングによって生じた段差の側面を前記マスクパターンを構成するレジストまたは別に塗布したレジストで選択的に覆ってから,残りの薄膜をエッチングする。段差側面をレジストで覆う方法として,マスクパターンを熱によって流下させるか,ポジ型レジストを塗布し,これをマスクパターン下の不透明膜をマスクに露光して段差側面に選択的に残す。

Claim (excerpt)：

基板の一表面に形成された薄膜上に画定された領域を覆い且つ加熱により流動状態に遷移するレジストから成るマスクパターンを形成する第1の工程と,該マスクパターンから表出している該薄膜に対してその厚さ方向の一部が除去されるようにウエットエッチングを施して該マスクパターンの周囲における該薄膜に段差を形成する第2の工程と,該マスクパターンを加熱することにより流動化した該レジストによって該段差を覆う第3の工程と,該段差を覆うレジストと前記マスクパターンとから表出する前記薄膜に対して再びウエットエッチング施して該段差を該基板表面側に成長させる第4の工程とを含むことを特徴とする微小パターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3205