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J-GLOBAL ID：200903031209085184

半導体への不純物導入方法及び装置

Inventor： 村上 英一 ,  木村 紳一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994081208
Publication number (International publication number)：1995183237
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 微細なMOSFET用の、浅い急峻な不純物分布を有する接合などを少ない工程数で実現できる不純物ドーピング方法。【構成】 (a)素子分離用酸化領域13で分離されたpウエル11、nウエル12を有し、ゲート酸化膜14及びシリサイドゲート電極15が形成されたSi基板10に、水素原子16をマスクにSb原子19を選択吸着する。尚、水素マスクはSi表面を水素終端しておき、レチクルを介して所要領域にエキシマレーザ光を照射した部分の水素原子を昇華して得られる。(b)基板温度を700°C程度にしてSbを1原子層にすると同時に水素原子を熱脱離する。(c)Sb原子19をマスクに自己整合的にHBO2分子110を選択吸着する。(d)CVD酸化膜111を堆積後、窒素中でドライブイン拡散して、n型ソース/ドレイン112、p型ソース/ドレイン113を同時に形成する。

Claim (excerpt)：

水素終端したシリコン表面の所要領域にエネルギ線を照射してシリコン表面を終端している水素原子層を除去することによりパターン状に水素終端されていないシリコン表面領域を形成し、この水素終端されていないシリコン表面領域に不純物を選択的に吸着させることにより不純物ドーピングを行うことを特徴とする半導体への不純物導入方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 27/08 321 N