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J-GLOBAL ID：200903031211774477

CVDリアクタ用ガス注入システム及びガス注入方法

Inventor： ジョセフ・エイチ・マクリーシュ ,  ロバート・ディー・マイロ ,  マエッシュ・ケイ・サンガネリア ,  スアレス・デルソーラー
Applicant, Patent owner： コンセプト・システムズ・デザイン・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997213721
Publication number (International publication number)：1998183353
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低圧条件用の圧力容器とプロセシング用の反応チャンバとを別々に設けてスループットを高めたCVDリアクタ用ガス注入システム及び方法を提供する。【解決手段】 CVDリアクタが個別の反応チャンバ及び圧力容器を有する。圧力容器は反応チャンバを内部に含み、プロセスガスは圧力容器から隔離される。このリアクタはガス注入システムを備えており、このシステムでは、プロセスガスを予備加熱し拡散させた上で、反応チャンバにその下側表面を通して概ね垂直方向に注入するとともに、反応チャンバの下側を通して垂直方向に水素等のガスを注入する。水素等のガスがプロセスガスの流れと反応チャンバの表面との間に挟まれるように流されることにより、プロセスガスの流れが内部のウェハの上側表面と平行にされ、均一な被着がなされるとともに、反応チャンバの表面上への不要な物質の被着も最小化される。

Claim (excerpt)：

ウェハのプロセシングがなされる反応チャンバに1又は2以上のプロセスガスを注入するガス注入システムであって、前記反応チャンバの下側表面の第1部分に形成された1又は2以上の第1スロットと、前記1又は2以上の第1スロットと前記反応チャンバの側壁との間に挟まれる位置に配置された、前記反応チャンバの下側表面の第2部分に形成された1又は2以上の第2スロットとを有することを特徴とし、第1ガスが前記1又は2以上の第2スロットを通して、前記ウェハの方に向けて流れるように前記反応チャンバに注入され、前記1又は2以上のプロセスガスが、前記1又は2以上の第1スロットを通して、前記反応チャンバに注入されることを特徴とし、前記第1ガスが、前記1又は2以上のプロセスガスの流れの方向を変えて、前記ウェハと実質的に平行な流れパターンをなすようにする役目を果たすことを特徴とするガス注入システム。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-007619
  
• 縦型熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-012707   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-338636
  
• 特開平2-030119