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J-GLOBAL ID：200903031212921589

光半導体素子およびその製造方法

Inventor： 岩井 則広 ,  石川 卓哉
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997200025
Publication number (International publication number)：1999046035
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaAs基板上に形成されるAlGaInP系の半導体レーザ装置であって、歪みのない出射ビームを得る素子構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 (100)面から[011]方向に傾斜した主面を有する第1の半導体基板上に積層形成した第1のエピタキシャル成長層と、主面を(100)面とした第2の半導体基板上に積層形成した第2のエピタキシャル成長層とを互いに直接接着し、且つ前記第2の半導体基板を除去した素子構造を有し、特に前記第2のエピタキシャル成長層にストライプ状のリッジを設けた構造とする。特に第1のエピタキシャル成長層と第2のエピタキシャル成長層とを直接接着した後、第2の半導体基板を除去し、次いで前記第2のエピタキシャル成長層にストライプ状のリッジを形成する。

Claim (excerpt)：

(100)面から[011]方向に傾斜した主面を有する第1の半導体基板上に積層形成した第1のエピタキシャル成長層と、主面を(100)面とした第2の半導体基板上に積層形成した第2のエピタキシャル成長層とを互いに接着してなり、前記第2のエピタキシャル成長層に、ストライプ状のリッジを設けると共に、前記第2の半導体基板を除去してなる素子構造を有することを特徴とする光半導体素子。