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J-GLOBAL ID：200903031216420002

光半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： 川崎 秀司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242035
Publication number (International publication number)：1995074430
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】マスクの種類により成長膜のバンドギャップを制御する光半導体デバイスの製造方法及び光半導体デバイスである。【構成】核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質102、103と半導体単結晶とを表面に有する基板101を用いて、半導体単結晶上に選択的に結晶成長を行い、バンドギャップの変化した層構造104を持つ光半導体デバイスを実現する。核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質は材料が異なっていてもよいし、また表面状態が異なっていてもよい。

Claim (excerpt)：

核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質と半導体単結晶とを表面に有する基板を用いて、該半導体単結晶上に選択的に結晶成長することを特徴とする光半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00