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J-GLOBAL ID：200903031217511559
化合物半導体の評価方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993174669
Publication number (International publication number)：1995014894
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【構成】 化合物半導体のキャリア濃度分布を室温フォトルミネッセンスによる発光ピ-ク波長での発光強度の半値幅を用いて測定する。【効果】 化合物半導体の詳細なキャリア濃度分布を非破壊にて容易且つ正確に評価することができる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体のキャリア濃度分布を室温フォトルミネッセンスによる発光ピ-ク波長での発光強度の半値幅を用いて測定することを特徴とする化合物半導体の評価方法。
Patent cited by the Patent：
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