導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005049119
Publication number (International publication number)：2006232986
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】キャリア移動が有利となる二次元的導電経路を有する結晶構造、結晶子サイズ、及び/又は結晶化度が得られる導電性高分子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表わされる構造の導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.3以下であり、且つ、隣り合うチオフェン環の結合に対する2,5’-結合の占める割合が95%以上である。(式(1)中、Rは、炭素数4以上のアルキル基を表わし、X及びX’はそれぞれ独立に、水素原子、塩素原子又は臭素原子を表わし、nは、110以上、220以下の整数を表わす。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表わされる構造の導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.3以下であり、且つ、隣り合うチオフェン環の結合に対する2,5’-結合の占める割合が95%以上であることを特徴とする、導電性高分子。

IPC (4)：

C08G 61/12 , H01B 1/12 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (4)：

C08G61/12 , H01B1/12 F , H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (50)：

4J032BA03 , 4J032BA04 , 4J032BA05 , 4J032BB01 , 4J032BC03 , 4J032CG01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
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Cited by examiner (10)

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