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J-GLOBAL ID：200903031225577500

超微粒子のガスデポジション方法及び装置

Inventor： 林 主税 ,  賀集 誠一郎
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992304628
Publication number (International publication number)：1994128728
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】[構成] ガスデポジション装置40は超微粒子生成室1とエアロゾルの貯蔵室2と膜形成室3とからなる。各室1、2、3は搬送管17、18により停止弁17、35を介在させて接続されている。貯蔵室2側の搬送管18の先端部36aは室内Bを上下方向に移動可能である。超微粒子生成室1内で超微粒子が蒸発して搬送ガスと混合してエアロゾル状となり、このエアロゾルが貯蔵室2内に充填される。貯蔵室2内で超微粒子の粒子は沈降し上部より下方の方が濃度が大きくなる。[効果] 従って、貯蔵室2から膜形成室3にエアロゾルを流出させるとき、貯蔵室2内に超微粒子の量は少なく成るが、この濃度に応じて搬送管18の先端部36aを下方に移動させると、一定量の超微粒子を膜形成室3内に流出することができる。

Claim (excerpt)：

超微粒子生成室内に置かれた蒸発材料が加熱されることにより、前記蒸発材料から蒸発した超微粒子が搬送ガスと混合されることによりエアロゾル状となり、該エアロゾルが膜形成室内に搬送され、該膜形成室内に配設された基板上に前記超微粒子の膜を作成する超微粒子のガスデポジション方法において、前記エアロゾルを前記超微粒子生成室内から該エアロゾルを所定の濃度で貯蔵させるための貯蔵室内に導入し、該貯蔵室内から前記膜形成室内への流量を制御することにより、該膜形成室内での前記基板上に作成される前記超微粒子の堆積量を制御するようにしたことを特徴とする超微粒子のガスデポジション方法。

IPC (2)：

C23C 14/24 ,  B01J 2/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-022102
  
• 特開平2-070058
  
• 特開平2-302305
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-022102
  
• 特開平2-070058
  
• 特開平2-302305