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J-GLOBAL ID：200903031238901004

ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子

Inventor：
日浦 英文

About 日浦 英文

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多田 哲也

About 多田 哲也

, 
金山 敏彦

About 金山 敏彦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社

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独立行政法人産業技術総合研究所

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Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005001422
Publication number (International publication number)：2006190815
Application date： Jan. 06, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：
【課題】 pn伝導型の制御、キャリア密度の制御、さらにゲート電圧閾値の制御を実現できる熱力学的・化学的に安定なドーパント材料やその製造方法を提供し、優れた高速動作性・高集積性を有する実際に動作可能なトランジスタなどの半導体素子を提供することである。【解決手段】 カーボンナノチューブの外周表面に、真空中におけるイオン化ポテンシャルが5.8eV以下であるドナー、または真空中における電子親和力が2.7eV以上であるアクセプターを堆積させたものであり、好ましくはドナーがアルカリ土類金属元素、典型金属元素、ランタノイド金属元素および有機金属化合物からなる群れから選ばれる1種または2種以上を含み、アクセプターがフラーレン類および/またはスーパーハロゲンである。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
カーボンナノチューブの外周表面に、真空中におけるイオン化ポテンシャルが5.8eV以下であるドナー、または真空中における電子親和力が2.7eV以上であるアクセプターを堆積させたものであることを特徴とするドーパント材料。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  C01B 31/02 ,  H01L 29/06
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618F
F-Term (34)：
4G146AA11 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AA19 ,  4G146AB06 ,  4G146AD30 ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB23 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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