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J-GLOBAL ID：200903031248534654

光学誘電体多層薄膜

Inventor： 江藤 和幸 ,  渡辺 晃司 ,  西本 圭司
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999358989
Publication number (International publication number)：2001174612
Application date： Dec. 17, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高エネルギ光に対する多層薄膜の耐力を向上し、多層薄膜の劣化を低減した光学誘電体多層薄膜を提供する。【解決手段】 互いに光屈折率を異にする第1の誘電体薄膜2と第2の誘電体薄膜3を交互に成膜して形成した誘電体多層薄膜の最上層に酸化ハフニウム薄膜を成膜形成した光学誘電体多層薄膜。

Claim (excerpt)：

互いに光屈折率を異にする第1の誘電体薄膜と第2の誘電体薄膜を交互に成膜して形成した誘電体多層薄膜の最上層に酸化ハフニウム薄膜を成膜形成したことを特徴とする光学誘電体多層薄膜。

IPC (3)：

G02B 5/08 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00

FI (3)：

G02B 5/08 A ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A

F-Term (20)：

2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  4F100AA17C ,  4F100AA19A ,  4F100AA20B ,  4F100AG00 ,  4F100BA05 ,  4F100BA08 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA13 ,  4F100JG05A ,  4F100JG05B ,  4F100JL00 ,  4F100JM02A ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JN18A ,  4F100JN18B ,  4F100JN28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザ用反射鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211318   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-295181