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J-GLOBAL ID：200903031250818910

プラズマCVD装置

Inventor： 渋谷 義継 ,  宮 行男 ,  直井 孝一
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058417
Publication number (International publication number)：1995268633
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜物性、膜品質が優れ、バッチあたりの処理個数増加を可能とするプラズマCVD装置を提供すること。【構成】 ガス導入口と排気口を備えた真空槽中央に熱電子を放出するためのフィラメント電極と正電圧が印加されるアノ-ド電極との組み合わせからなるプラズマ発生部を配置し、この外側に粉体、微粒子を捕捉するためのトラップ電極と、さらに外側に負電圧が印加されるカソ-ド電極が配設されていることを特徴とするプラズマCVD装置。【効果】 装置内の基材配置よっては処理個数を増加させ生産性を高めることが可能となり、薄膜の外観品質および耐摩耗性が飛躍的に向上する。

Claim (excerpt)：

ガス導入口と排気口を備えた真空槽内部の中央に、熱電子を放出するためのフィラメント電極と正電圧が印加されるアノ-ド電極との組み合わせからなるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部の外周に負電圧が印加される複数のカソ-ド電極とが配設されていることを特徴とするプラズマCVD装置において、前記プラズマ発生部と前記カソ-ド電極間に、粉体および微粒子などを捕捉するための棒状部材からなるトラップ電極が配設され、且つ基準電位に接続されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

C23C 16/32 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜成形方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-140442   Applicant：石川島播磨重工業株式会社