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J-GLOBAL ID：200903031256605404

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002308286
Publication number (International publication number)：2004146502
Application date： Oct. 23, 2002
Publication date： May. 20, 2004
Summary：
【課題】移動度が高く、安定的な製造が可能なTFT及びその製造方法と、TFTを2次元的に配列したTFTシートにおけるパターンニング工程を削減し、簡便な方法で実質的なパターンニングを可能とし、低コストのTFTシートを提供すること。【解決手段】有機TFT素子を、有機半導体材料を加熱溶融することにより製造すること及び、光熱変換層、有機半導体材料層を設け、所望の部位を光照射し溶融させることにより製造すること。【選択図】 図9
Claim (excerpt)：
有機半導体材料が加熱溶融される工程を経て、有機半導体層が形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L29/786 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/208 Z ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/28
F-Term (47)：
5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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