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J-GLOBAL ID：200903031260775268
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995350085
Publication number (International publication number)：1997181068
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ポリ・バッファLOCOS素子分離法を行う際に、シリコン基板にマイクロトレンチ現象)が生じるのを防止する。【解決手段】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜2、多結晶シリコン膜3およびシリコン窒化膜4を形成し、素子分離領域とすべき領域のシリコン窒化膜4をエッチング除去する。しかる後、ドライ酸化雰囲気で60分間の熱処理を行ってシリコン窒化膜4で被覆されていない多結晶シリコン膜3をドライ酸化膜6とする。この後、水蒸気酸化雰囲気に切り換えてから60分間の熱処理を行ってフィールド酸化膜5を形成する。
Claim (excerpt)：
選択酸化素子分離構造によって素子間分離がなされる半導体装置の製造方法において、半導体基板にシリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とシリコン窒化膜を順次形成する工程と、前記シリコン窒化膜をパターニングする工程と、第1の雰囲気中において前記半導体基板に第1の熱処理を施した後、前記第1の雰囲気とは異なる第2の雰囲気中において前記半導体基板に第2の熱処理を施す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
