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J-GLOBAL ID：200903031267613310

半導体レーザ装置

Inventor： 福永 秀樹 ,  中山 秀生 ,  植木 伸明
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 松永 孝義 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264051
Publication number (International publication number)：1993102604
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p側から注入された正孔の各井戸における分布が均一になるような多重量子井戸構造を持つ半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 禁制帯間隔の異なる二種の化合物半導体薄膜を交互に積み重ねて構成した多重量子井戸型構造(ノンドープGaAsの井戸層5三層とノンドープAl<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>Asの障壁層6二層を交互に積層する。)を持つ半導体レーザ装置において、禁制帯間隔の小さい井戸層5を分離している禁制帯間隔の大きい障壁層6のエネルギー障壁の高さが、n側に近い方から順次にZ<SB>1</SB>、Z<SB>2</SB>とすると、Z<SB>1</SB><Z<SB>2</SB>の関係となるようにすることで、正孔の注入側が電子の注入側よりも高くなるように設定する。そして、井戸層5三層の各井戸幅はp側に近い方から順次広げて各井戸層5の量子準位を等しくなるようにする。

Claim (excerpt)：

禁制帯間隔の異なる二種の化合物半導体薄膜を交互に積み重ねて構成した多重量子井戸型構造の活性層をもつ半導体レーザ装置において、禁制帯間隔の小さい量子井戸層を分離している禁制帯間隔の大きい障壁層のエネルギー障壁の高さが、正孔の注入側が電子の注入側よりも高くなるように設定し、それぞれの量子井戸層の量子準位が一致するようエネルギー障壁が高い障壁層側の量子井戸層の幅を厚く、エネルギー障壁が低い障壁層側の量子井戸層の幅を薄くすることを特徴とする半導体レーザ装置。