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J-GLOBAL ID：200903031273937593
化合物半導体単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145915
Publication number (International publication number)：1993339098
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、結晶引上げ時に転位が発生せず、デバイス特性のよい化合物半導体単結晶を製造するための製造方法を提供することである。【構成】 本発明の化合物半導体単結晶の製造方法は、容器内に原料融液を収納し、その原料融液を液体封止剤で覆い、原料融液からの熱輻射を抑制するため液体封止剤の表面を複数の断熱性粒子で覆い、原料融液から種結晶上に単結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
容器内に原料融液を収納する工程と、前記原料融液の表面を覆うように前記容器内に液体封止剤を収納する工程と、前記原料融液からの熱輻射を抑制する複数の断熱性粒子で前記液体封止剤の表面を覆う工程と、前記原料融液中に種結晶が装着された引上げ棒の端部を浸漬する工程と、前記引上げ棒を回転することにより、前記種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備える、化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (2)：
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