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J-GLOBAL ID：200903031289926494
成分管理装置付錫めっき装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992003121
Publication number (International publication number)：1993186899
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 27, 1993
Summary：
【要約】【構成】Sn2+イオン、有機酸、有機系酸化防止剤および光沢剤を含む錫めっき液を用い、Sn2+イオン濃度、添加剤濃度および固形夾雑物を調整しつつ、不溶性陽極を用いて鋼帯に連続Snめっきを行う装置で、Snめっき槽と、Snアノード格納アノード室およびカソード格納カソード電極室をイオン交換膜で隔てて備え、さらにカソードとアノードの交換設備を備えたSn2+イオン供給槽と、高比重固形夾雑物を除去するための沈殿槽と、軽比重固形夾雑物を除去するための濾過設備と、有機物酸化体を吸着除去する活性炭処理槽と、サーキュレーションタンクと、Sn2+イオン量の分析値に応じてSn2+イオン濃度が所定の範囲に入るようにSn2+イオン供給槽内の電解電流を制御する分析装置とを備える錫めっき装置。【効果】Sn2+イオン供給と、その他の浴中成分の管理が低コストかつ安定的に実現され、めっき品質と操業安定性が飛躍的に向上する。
Claim (excerpt)：
Sn2+イオン、支持電解質である有機酸、さらに有機系酸化防止剤および光沢剤の添加剤を含む錫めっき液を用い、該めっき液のSn2+イオン濃度、添加剤濃度および固形夾雑物を調整しつつ、不溶性陽極を用いて鋼帯に連続的にSnめっきを行う装置であって、鋼帯を連続通板してSnめっきするSnめっき槽と、Snアノードを格納したアノード室およびカソードを格納したカソード電極室をイオン交換膜で隔てて備え、さらにカソードとアノードの交換設備を備えたSn2+イオン供給槽と、めっき液中の高比重固形夾雑物を沈殿除去するための沈殿槽と、軽比重固形夾雑物を除去するための濾過設備と、めっき液中の有機物酸化体を吸着除去するための活性炭を充填した活性炭処理槽と、添加剤濃度を再調整するためのサーキュレーションタンクと、上記めっき槽内のめっき液に含まれるSn2+イオン量を分析するとともに、その分析値に応じてめっき液のSn2+イオン濃度が所定の範囲に入るようにSn2+イオン供給槽内の電解電流を制御可能である分析装置とを接続してなる成分管理装置付錫めっき装置。
IPC (3)：
C25D 21/14
, C25D 3/30
, C25D 7/06
