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J-GLOBAL ID：200903031307752520

新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法

Inventor： 中村 剛 ,  池側 妙子 ,  沢野 敦 ,  土井 宏介 ,  小原 秀克
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000214451
Publication number (International publication number)：2002030118
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 DUV領域の光源を用いるホトリソグラフィー分野において、透過性に優れ、高感度、高解像性を有する新規コポリマー、ホトレジスト組成物およびシリル化剤を用いた高アスペクト比のレジストパターンを形成する方法の提供。【解決手段】 不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰り返し単位(B)、例えば下記一般式(II)で表される繰り返し単位(C)および下記一般式(III)で表される繰り返し単位(D)を含有する新規コポリマー。【化1】

Claim (excerpt)：

不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰り返し単位(B)、下記一般式(II)で表される繰り返し単位(C)、および下記一般式(III)で表される繰り返し単位(D)を含有することを特徴とする新規コポリマー。【化1】(式中、R1は、水素原子、またはメチル基を表し、R2は、炭素原子数1〜4のアルキル基を表す)

IPC (10)：

C08F222/06 ,  C08F220/18 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/41 ,  C08L 35/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (12)：

C08F222/06 ,  C08F220/18 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/41 ,  C08L 35/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 573

F-Term (46)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ04 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025DA11 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096HA24 ,  4J002BH021 ,  4J002CP141 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AK31P ,  4J100AK32P ,  4J100AL08R ,  4J100AP16Q ,  4J100BA72Q ,  4J100BC09R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18